三星2021年度旗舰Galaxy S21+曝光：5nm工艺制程
近期爆料人士@Onleaks曝光了三星超大杯Galaxy S21 Ultra渲染图，图片显示三星Galaxy S21 Ultra采用的是挖孔屏方案。规格方面，三星Galaxy S21系列会提供Exynos和骁龙双版本，其中Exynos版本使用Exynos 2100芯片，骁龙版本使用高通骁龙875，二者都是5nm工艺制程。
无独有偶，今天@i冰宇宙曝光了三星Galaxy S21+的概念渲染图，它采用的也是挖孔屏方案。
尽管屏下摄像头已经量产商用，但是相比挖孔屏来说，后者更加成熟稳定。而且三星Galaxy S、Galaxy Note系列历代都是手机屏幕的标杆产品。
在屏幕显示和屏占比两者之间，三星优先照顾屏幕显示而不是屏占比，挖孔屏自然成为首选方案。
除此之外，三星Galaxy S21系列预计会配备16GB内存，性能妥妥的第一梯队。
除此之外，从三星Galaxy S21 Ultra的渲染图来看，三星Galaxy S21系列背部似乎会延续上一代的矩阵相机造型。至于发布时间，传闻Galaxy S21系列提前至1月份发布，2月份上市开卖。
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