三星2021年度旗舰Galaxy S21+曝光:5nm工艺制程
近期爆料人士@Onleaks曝光了三星超大杯Galaxy S21 Ultra渲染图,图片显示三星Galaxy S21 Ultra采用的是挖孔屏方案。规格方面,三星Galaxy S21系列会提供Exynos和骁龙双版本,其中Exynos版本使用Exynos 2100芯片,骁龙版本使用高通骁龙875,二者都是5nm工艺制程。
无独有偶,今天@i冰宇宙曝光了三星Galaxy S21+的概念渲染图,它采用的也是挖孔屏方案。
尽管屏下摄像头已经量产商用,但是相比挖孔屏来说,后者更加成熟稳定。而且三星Galaxy S、Galaxy Note系列历代都是手机屏幕的标杆产品。
在屏幕显示和屏占比两者之间,三星优先照顾屏幕显示而不是屏占比,挖孔屏自然成为首选方案。
除此之外,三星Galaxy S21系列预计会配备16GB内存,性能妥妥的第一梯队。
除此之外,从三星Galaxy S21 Ultra的渲染图来看,三星Galaxy S21系列背部似乎会延续上一代的矩阵相机造型。至于发布时间,传闻Galaxy S21系列提前至1月份发布,2月份上市开卖。
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