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图片 原厂型号 制造商 描述 单价(含税) 库存 包装 系列 工作温度 封装/外壳
MB10S-13 MB10S-13 Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MBS

数据手册
+1: 2.470418

库存:15385 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - MBS
BGX50AE6327HTSA1 BGX50AE6327HTSA1 Infineon Technologies

BRIDGE RECT 1P 70V 140MA SOT143

数据手册
+1: 2.60044

库存:51735 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - PG-SOT143-4
MDB6S MDB6S ON Semiconductor

BRIDGE RECT 1P 600V 1A 4MICRODIP

数据手册
+1: 2.275385

库存:131762 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - 4-MicroDIP/SMD
MDB10S MDB10S ON Semiconductor

BRIDGE RECT 1PH 1V 1MA 4MICRODIP

数据手册
+1: 2.795473

库存:141255 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - 4-MicroDIP/SMD
MB4S-TP MB4S-TP Micro Commercial Co

BRIDGE RECT 1P 400V 500MA MBS-1

数据手册
+1: 2.275385

库存:21948 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - MBS-1
MB1S MB1S ON Semiconductor

BRIDGE RECT 1PH 100V 500MA 4SOIC

数据手册
+1: 2.275385

库存:82913 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - 4-SOIC
MB6S MB6S ON Semiconductor

BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC

数据手册
+1: 2.925495

库存:89555 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - 4-SOIC
MB4S MB4S ON Semiconductor

BRIDGE RECT 1P 400V 500MA 4SOIC

数据手册
+1: 2.990506

库存:48526 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - 4-SOIC
B10S-G B10S-G Comchip Technology

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MBS

数据手册
+1: 3.055517

库存:68426 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - MBS
HD04-T HD04-T Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1P 400V 800MA 4-DIP

数据手册
+1: 2.665451

库存:70999 +

国外:7~10 天

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卷盘 - - 4-MiniDIP
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什么是光电传感器:

光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时,物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类:外光电效应、内光电效应及光生伏特效应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。

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