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图片 原厂型号 制造商 描述 单价(含税) 库存 包装 系列 工作温度 封装/外壳
IXDN55N120D1 IXDN55N120D1 IXYS

IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B

数据手册
+1: 136.3147

库存:1939 +

国外:7~10 天

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- - SOT-227B
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 IXYS

IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B

数据手册
+1: 142.4106

库存:345 +

国外:7~10 天

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XPT™, GenX4™ - SOT-227B
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 IXYS

IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B

数据手册
+1: 142.4106

库存:332 +

国外:7~10 天

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XPT™, GenX4™ - SOT-227B
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 IXYS

IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B

数据手册
+1: 175.8732

库存:569 +

国外:7~10 天

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GenX3™ - SOT-227B
APT75GP120JDQ3 APT75GP120JDQ3 Microchip Technology

IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

数据手册
+1: 236.1837

库存:469 +

国外:7~10 天

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POWER MOS 7® - ISOTOP®
MG12150S-BN2MM MG12150S-BN2MM Littelfuse Inc.

IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3

数据手册
+1: 568.7345

库存:38 +

国外:7~10 天

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Bulk - - S3
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

IGBT MOD 1200V 320A 1100W

数据手册
+1: 640.718

库存:73 +

国外:7~10 天

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Bulk C - Module
FP75R12KE3BOSA1 FP75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies

IGBT MOD 1200V 105A 355W

数据手册
+1: 953.74895

库存:32 +

国外:7~10 天

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Bulk - - Module
FZ900R12KE4HOSA1 FZ900R12KE4HOSA1 Infineon Technologies

IGBT MOD 1200V 900A 4300W

数据手册
+1: 986.17395

库存:90 +

国外:7~10 天

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Bulk C - Module
FZ600R17KE4HOSA1 FZ600R17KE4HOSA1 Infineon Technologies

IGBT MOD 1700V 1200A 3350W

数据手册
+1: 987.98975

库存:38 +

国外:7~10 天

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托盘 - - Module
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什么是光电传感器:

光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时,物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类:外光电效应、内光电效应及光生伏特效应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。

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